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【好文分享】如何防止MOSFET寄生导通？-KIA MOS管

功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET，且之后很难查出故障的根源。寄生导通机制取决于漏源和栅源电压间的电容分压比例。

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www.kiaic.com/article/detail/3415.html 2022-03-21

围绕二象限驱动器电路设计的PWM放大器电路-KIA MOS管

在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基极发射极结产生反向偏置，并使电流通过R11流向Q4的基极。流经Q4的电流驱动Q3和Q2，且该电流取决于PWM的水平。

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www.kiaic.com/article/detail/3414.html 2022-03-21

【图文详解】如何处理MOSFET非线性电容-KIA MOS管

与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left floating）。

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www.kiaic.com/article/detail/3413.html 2022-03-18

【电路分享】常用的不对称半桥MOSFET驱动电路-KIA MOS管

图1为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。其中一路直接接到下管，另外一路经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调节死区时间。

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www.kiaic.com/article/detail/3412.html 2022-03-18

【图文】如何正确选择同步降压MOSFET电阻比？-KIA MOS管

首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。

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www.kiaic.com/article/detail/3411.html 2022-03-18

P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 参数资料原厂现货直销-KIA MOS管

P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V产品描述KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。

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www.kiaic.com/article/detail/3410.html 2022-03-17

如何抑制反激电源中的振铃现象？详解-KIA MOS管

反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此，通过变压器和MOSFET 组件的合理设计来控制振铃非常重要。

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www.kiaic.com/article/detail/3409.html 2022-03-17

功率MOSFET的热阻特性图文详解-KIA MOS管

数据表中，功率MOSFET有不同的热阻值，数据表中的热阻都是在一定的条件下测试的。MOSFET反并联二极管相当于一个温度传感器，一定的温度对应着一定的二极管的压降。

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www.kiaic.com/article/detail/3408.html 2022-03-17

分析半导体器件中的EOS和ESD故障详解-KIA MOS管

静电可以定义为累积在材料表面的固定电荷。静电荷之间的相互作用（称为静电）导致两个关键问题：静电过应力（EOS）和静电放电（ESD）。静电可以定义为累积在材料表面的固定电荷。

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www.kiaic.com/article/detail/3407.html 2022-03-16

CMOS集成电路ESD保护结构设计分析-KIA MOS管

静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多数的电子元件或电子系统受到过度电性应力(Electrical Overstress EOS)破坏的主要因素。这种破坏会导致半导体元件以及电脑系统等,形成一种永久性的毁坏，因而影响集成电路(Integrated Circuits, ICs)的电路功能...

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www.kiaic.com/article/detail/3406.html 2022-03-16