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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5805 个

  • ​MOS管KNX3108A 80V110A参数资料 原厂免费送样-KIA MOS管

    MOS管KNX3108A 80V110A-特征RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V提供无铅环保设备低RD-ON可将传导损耗降至最低大雪崩电流

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    www.kiaic.com/article/detail/2970.html         2021-08-05

  • MOS管死区时间的分析、设置图文详解-KIA MOS管

    出现死区的主要原因是因为MOS管的源极和栅极之间的结电容。现在在栅极加上一个门电路。当门电路输出的信号跳变的瞬间,电流是非常大的,会导致MOS管发热,所以需要在门电路后面再串联一个电阻,这个电阻很小,一般在10Ω左右。

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    www.kiaic.com/article/detail/2969.html         2021-08-05

  • 超详细|锂电池过充电、过放、短路保护电路-KIA MOS管

    该电路主要由锂电池保护专用集成电路DW01,充、放电控制MOSFET1(内含两只N沟道MOSFET)等部分组成,单体锂电池接在B+和B-之间,电池组从P+和P-输出电压。充电时,充电器输出电压接在P+和P-之间,电流从P+到单体电池的B+和B-,再经过充电控制MOSFET到P-。

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    www.kiaic.com/article/detail/2968.html         2021-08-05

  • 低内阻MOS管 ​KIA3506A 60V70A 原厂专业制造 型号齐全-KIA MOS管

    低内阻MOS管 KIA3506A 60V70A产品特征VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V专为电动自行车控制器应用而设计超低电阻高UIS和UIS 100%测试

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    www.kiaic.com/article/detail/2967.html         2021-08-04

  • 常见的MOS管封装失效原因分析-KIA MOS管

    MOS管封装失效原因封装,顾名思义是将集成电路包封起来,达到与外加隔离的目的。在工程师的日常工作当中,时不时会遇到一些MOS管封装失效,本文总结了一些失效的案例,仅供参考。

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    www.kiaic.com/article/detail/2966.html         2021-08-04

  • 二极管为什么具有单向导电特性?-KIA MOS管

    二极管是电子电路中很常用的元器件,非常常见,二极管具有正向导通,反向截止的特性。在二极管的正向端(正极)加正电压,负向端(负极)加负电压,二极管导通,有电流流过二极管。在二极管的正向端(正极)加负电压,负向端(负极)加正电压,二极管截止,没有...

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    www.kiaic.com/article/detail/2965.html         2021-08-04

  • 常用小功率 低压MOS管 KIA8606A 60V35A​参数 原厂专业制造-KIA MOS管

    常用小功率 低压MOS管 KIA8606A-描述KIA8606A是高密度沟槽N型MOSFETS,具有优良的RDSON性能。和栅极充电为大多数同步降压转换器的应用。KIA8606满足RoHS标准和绿色产品要求,100%的安全评价保证充分的功能可靠性。

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    www.kiaic.com/article/detail/2964.html         2021-08-03

  • 晶体二极管开关转换过程图文详解-KIA MOS管

    在数字电子技术门电路中,在脉冲信号的作用下,二极管时而导通,时而截止,相当于开关的“接通”和“关断”。二极管由截止到开通所用的时间称为开通时间,由开通到截止所用的时间称为关断时间。研究其开关特性,就是分析导通和截止转换快慢的问题,当脉冲信号频...

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    www.kiaic.com/article/detail/2963.html         2021-08-03

  • 整流二极管尖峰吸收电路的设计对比|必看-KIA MOS管

    关于Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题,在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC吸收效果更好,用RCD吸收,其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配,可以完全吸收,几乎看不到尖峰电压),而且吸收损耗也更小。

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    www.kiaic.com/article/detail/2962.html         2021-08-03

  • ​MOS管KNX7606A 60V25A​ 现货直销 免费送样-KIA MOS管

    KNX7606A是性能最高的N沟道mosfet,为大多数同步buck变换器提供优良的RDSON和栅极电荷,KNX7606A符合RoHS和绿色产品要求。KIA半导体产品品质优良,KIA半导体执行的全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程跟踪和监控。

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    www.kiaic.com/article/detail/2961.html         2021-08-02

  • 高频电容简析以及与低频电容区别-KIA MOS管

    高频电容基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的。高频电路中使用的元器件与低频电路中使用的元器件频率特性是不同的。高频电路中无源线性元件主要是电阻(器)、电容(器)和电感(器)。

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    www.kiaic.com/article/detail/2960.html         2021-08-02

  • 电阻电容电感的高频等效电路、特性曲线-KIA MOS管

    低频电子学中最普通的电路元件就是电阻,它的作用是通过将一些电能装化成热能来达到电压降低的目的。电阻的高频等效电路如图所示,其中两个电感L模拟电阻两端的引线的寄生电感,同时还必须根据实际引线的结构考虑电容效应;用电容C模拟电荷分离效应。

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    www.kiaic.com/article/detail/2959.html         2021-08-02

  • ​保护板专用MOS管40V100A KNX3204A 国产优质品牌-KIA MOS管

    保护板专用MOS管40V100A KNX3204A产品特点1、RDS(ON),typ=4mΩ@VGS=10V2、专有新沟槽技术3、低门电荷减小开关损耗4、快恢复体二极管

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    www.kiaic.com/article/detail/2958.html         2021-07-30

  • 晶闸管概述及晶闸管的导通条件-KIA MOS管

    晶体闸流管简称为品闸管,也叫做可控硅,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。因为它可以像闸门一样控制电流,所以称之为“晶体闸流管”。晶体闸流管是最常用的功率型半导体控制器件之一,具有广泛的用途。

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    www.kiaic.com/article/detail/2957.html         2021-07-30

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